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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS42S16160G-7BI-TR |
储存器 |
54-TFBGA(8x8) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS42S16160G-6TI-TR |
储存器 |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS25WP064-JBLE-TR |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL IS25WP032-JBLE-TR |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL IS25WP016-JMLE-TR |
储存器 |
16-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 16MBIT SERIAL 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:串行|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL IS43TR16640BL-107MBL |
储存器 |
96-TWBGA(9x13) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT PAR 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL IS43TR16640B-15GBL-TR |
储存器 |
96-TWBGA(9x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PAR 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL IS25WP016-JKLE-TR |
储存器 |
8-WSON(6x5) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 16MBIT SERIAL 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:串行|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL IS37SML01G1-MLI |
储存器 |
16-SOIC |
管件 |
IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL 93C76A-I/ST |
储存器 |
8-TSSOP |
管件 |
IC EEPROM 8KBIT MICROWIRE 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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