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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL PC28F320J3D79B TR |
储存器 |
64-EasyBGA(10x13) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT PAR 64EASYBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:79ns|訪問時間:79 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL DS2502S |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC EPROM 1KBIT 1-WIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:1-Wire®|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.8V ~ 6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD5F1GQ5UEBIGY |
储存器 |
24-TFBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:600µs|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD5F1GM7REWIGR |
储存器 |
8-WSON(5x6) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:256M x 4|記憶體介面:SPI - 四 I/O,DTR|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:600µs|訪問時間:9 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 23LCV1024-E/ST |
储存器 |
8-TSSOP |
管件 |
IC SRAM 1MBIT SPI/DUAL 8TSSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL 23LCV1024T-E/ST |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT SPI/DUAL 8TSSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL SST39WF800A-90-4C-M2QE |
储存器 |
48-WFBGA(6x4) |
託盤 |
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:40µs|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL SST39WF800A-90-4I-M2QE |
储存器 |
48-WFBGA(6x4) |
託盤 |
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:40µs|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS42S32200N-7TL-TR |
储存器 |
86-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR |
储存器 |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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