储存器

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MSL N25Q064A13ESEH0F TR MSL N25Q064A13ESEH0F TR 储存器 8-SO W 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT SPI 108MHZ 8SO W 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:16M x 4|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M29W640GH70NA6F TR MSL M29W640GH70NA6F TR 储存器 48-TSOP I 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M58BW32FB4T3T TR MSL M58BW32FB4T3T TR 储存器 80-PQFP(14x20) 剪切帶(CT) IC FLASH 32MBIT 45NS 80PQFP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:1M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS61C1024AL-12JLI-TR MSL IS61C1024AL-12JLI-TR 储存器 32-SOJ 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M95640-WMN6T MSL M95640-WMN6T 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST26VF032BAT-104I/MF MSL SST26VF032BAT-104I/MF 储存器 8-WDFN(5x6) 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL NDB56PFC-4DIT TR MSL NDB56PFC-4DIT TR 储存器 84-FBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT SSTL 84FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:SSTL_18|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL AS4C4M16SA-7BCNTR MSL AS4C4M16SA-7BCNTR 储存器 54-TFBGA(8x8) 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS66WV51216EBLL-70BLI-TR MSL IS66WV51216EBLL-70BLI-TR 储存器 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVQ16M4DALL-200BLI-TR MSL IS66WVQ16M4DALL-200BLI-TR 储存器 - 卷帶(TR) 64MB, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200M 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-

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