储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MX25L12865EMI-10G MSL MX25L12865EMI-10G 储存器 16-SOP 管件 IC FLASH 128MBIT SPI 16SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:300µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S16100C1-7T MSL IS42S16100C1-7T 储存器 50-TSOP II 託盤 IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F2G08ABAGAM79A3WC1L MSL MT29F2G08ABAGAM79A3WC1L 储存器 模具 散裝 IC FLASH 2GBIT PARALLEL DIE 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS25WP128F-JBLA3 MSL IS25WP128F-JBLA3 储存器 8-SOIC 散裝 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:40µs,800µs|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL AT24C256W-10SI MSL AT24C256W-10SI 储存器 8-SOIC 管件 IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W631GU6NB-11 MSL W631GU6NB-11 储存器 96-VFBGA(7.5x13) 託盤 IC DRAM 1GBIT PAR 96VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL AT25640-10PC-2.7 MSL AT25640-10PC-2.7 储存器 8-PDIP 管件 IC EEPROM 64KBIT SPI 3MHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS43DR86400E-25DBL-TR MSL IS43DR86400E-25DBL-TR 储存器 60-TWBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SSTL_18|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL IS43DR86400E-3DBL-TR MSL IS43DR86400E-3DBL-TR 储存器 60-TWBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SSTL_18|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL IS43DR16320D-3DBL-TR MSL IS43DR16320D-3DBL-TR 储存器 84-TWBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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