储存器

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MSL IS45S16400N-6BLA1 MSL IS45S16400N-6BLA1 储存器 54-TFBGA(8x8) 託盤 AUTOMOTIVE (-40 TO +85C), 64M, 3 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS62WV2568EBLL-45BLI MSL IS62WV2568EBLL-45BLI 储存器 36-TFBGA(6x8) 託盤 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL EM63A165BM-5IH MSL EM63A165BM-5IH 储存器 54-FBGA(8x8) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:4.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS62WV12816EALL-55BLI-TR MSL IS62WV12816EALL-55BLI-TR 储存器 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2.2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS62WV5128EBLL-45HLI-TR MSL IS62WV5128EBLL-45HLI-TR 储存器 32-TSOP I 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS62WV5128EBLL-45BLI-TR MSL IS62WV5128EBLL-45BLI-TR 储存器 36-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR MSL IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR 储存器 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS62WV25616EBLL-45BLI-TR MSL IS62WV25616EBLL-45BLI-TR 储存器 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42SM16400M-79BLI-TR MSL IS42SM16400M-79BLI-TR 储存器 54-TFBGA(8x8) 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S16100C1-6T-TR MSL IS42S16100C1-6T-TR 储存器 50-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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