储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL W25Q256JWEIM MSL W25Q256JWEIM 储存器 8-WSON(8x6) 託盤 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CG10150AFT MSL CG10150AFT 储存器 - 卷帶(TR) IC FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:FRAM|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL NDS38PT5-20ET MSL NDS38PT5-20ET 储存器 54-TSOP II 託盤 IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL NDS38PT5-16ET TR MSL NDS38PT5-16ET TR 储存器 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL NDS38PT5-20ET TR MSL NDS38PT5-20ET TR 储存器 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL NDS36PT5-20ET MSL NDS36PT5-20ET 储存器 54-TSOP II 託盤 IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL NDD56PT6-2AET MSL NDD56PT6-2AET 储存器 66-TSOP II 託盤 IC DRAM 512MBIT SSTL 66TSOPII 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:SSTL_2|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL NDD56PT6-2AET TR MSL NDD56PT6-2AET TR 储存器 66-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT SSTL 66TSOPII 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:SSTL_2|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL NDS38PT5-16ET MSL NDS38PT5-16ET 储存器 54-TSOP II 託盤 IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E MSL MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E 储存器 63-VFBGA(9x11) 託盤 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)

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