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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 71256SA20PZG8 |
储存器 |
28-TSOP |
卷帶(TR) |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT45DQ321-MHD-Y |
储存器 |
8-UDFN(5x6) |
託盤 |
IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8UDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:528 位元組 x 8192 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL N02L63W3AT25IT |
储存器 |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS42S16400J-7B2LI |
储存器 |
60-TFBGA(6.4x10.1) |
託盤 |
IC DRAM 64MBIT PAR 60TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD9FS1G8F2DDGI |
储存器 |
48-FBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT PAR 48FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns,600µs|訪問時間:16 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S27KL0643DPBHV020 |
储存器 |
24-FBGA(6x8) |
託盤 |
IC PSRAM 64MBIT SPI/OCTAL 24FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:36ns|訪問時間:36 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL AT27C040-70JC |
储存器 |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL CYK256K16SCBU-70BVXI |
储存器 |
48-VFBGA(6x8) |
託盤 |
IC PSRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX30LF1G18AC-TJ |
储存器 |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:16 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL CY7C109B-20ZC |
储存器 |
32-TSOP I |
袋 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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