| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL W632GU6QB-15 TR |
储存器 |
96-VFBGA(7.5x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL M58LR128KT85ZB5F TR |
储存器 |
56-VFBGA(7.7x9) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 128MBIT PAR 56VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M29W064FB6AZA6F TR |
储存器 |
48-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:60 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL NDS66PBA-20ET |
储存器 |
54-FBGA(8x8) |
託盤 |
IC DRAM 64MBIT LVTTL 54FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AS1C512K16P-70BINTR |
储存器 |
48-FPBGA(6x7) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.6V ~ 3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS1C512K16PL-70BINTR |
储存器 |
48-FBGA(6x7) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS42S32200N-7BL-TR |
储存器 |
90-TFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL NDS66PBA-20ET TR |
储存器 |
54-FBGA(8x8) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT LVTTL 54FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL NDS66PBA-16ET TR |
储存器 |
54-FBGA(8x8) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT LVTTL 54FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS61WV1288EEBLL-10BLI-TR |
储存器 |
48-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PAR |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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