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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL SST39VF3201C-70-4I-B3KE-T |
储存器 |
48-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS7C256A-20TIN |
储存器 |
28-TSOP I |
託盤 |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS62WVS2568GBLL-45NLI |
储存器 |
8-SOIC |
散裝 |
IC SRAM 2MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI - 四路 I/O,SDI|時鐘頻率:45 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS62WVS2568FBLL-20NLI |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC SRAM 2MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,SDI,DTR|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W949D6DBHX5E |
储存器 |
60-VFBGA(8x9) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT27C2048-55JC |
储存器 |
44-PLCC(16.6x16.6) |
管件 |
IC EPROM 2MBIT PARALLEL 44PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL W25N01GVTBIG TR |
储存器 |
24-TFBGA(8x6) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W25Q256JWBIM TR |
储存器 |
24-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1019DV33-10BVXIT |
储存器 |
48-VFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD9FS1G8F2DMGI |
储存器 |
48-TSOP I |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT PAR 48TSOPI |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns,600µs|訪問時間:16 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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