储存器

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MSL MB85RC256LYPN-G-AMEWE1 MSL MB85RC256LYPN-G-AMEWE1 储存器 - 卷帶(TR) 256kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MB85RC256TYPNF-G-BCERE1 MSL MB85RC256TYPNF-G-BCERE1 储存器 - 卷帶(TR) 256kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MB85RC256TYPN-G-AMEWE1 MSL MB85RC256TYPN-G-AMEWE1 储存器 - 卷帶(TR) 256kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MB85RC256LYPNF-G-BCERE1 MSL MB85RC256LYPNF-G-BCERE1 储存器 - 卷帶(TR) 256kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL IS42S81600F-7TL MSL IS42S81600F-7TL 储存器 54-TSOP II 託盤 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS42SM16400M-6BLI MSL IS42SM16400M-6BLI 储存器 54-TFBGA(8x8) 託盤 IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST26VF032B-104I/TD MSL SST26VF032B-104I/TD 储存器 24-TBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST39VF3201B-70-4I-B3KE-T MSL SST39VF3201B-70-4I-B3KE-T 储存器 48-TFBGA 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST39VF3202B-70-4I-B3KE-T MSL SST39VF3202B-70-4I-B3KE-T 储存器 48-TFBGA 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVO8M8DALL-200BLI-TR MSL IS66WVO8M8DALL-200BLI-TR 储存器 24-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) 64MB, OCTALRAM, 8MBX8, 1.8V, 200 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 八線|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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