储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL W25N01GWZEIT MSL W25N01GWZEIT 储存器 8-WSON(8x6) 託盤 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W632GU8QB-09 TR MSL W632GU8QB-09 TR 储存器 78-VFBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.067 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F TR MSL MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F TR 储存器 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR MSL MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR 储存器 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL MT29F1G01ABBFD12-AAT:F TR MSL MT29F1G01ABBFD12-AAT:F TR 储存器 24-T-PBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT SPI 24TPBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:1G x 1|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL S27KL0642DPBHV020 MSL S27KL0642DPBHV020 储存器 24-FBGA(6x8) 託盤 IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:36ns|訪問時間:36 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL GD25LR256FYIGR MSL GD25LR256FYIGR 储存器 8-WSON(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:120µs,1.2ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD25LR256FWIGR MSL GD25LR256FWIGR 储存器 8-WSON(5x6) 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:120µs,1.2ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS61WV25616FBLL-10TLI-TR MSL IS61WV25616FBLL-10TLI-TR 储存器 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PAR 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL NM27C256N120 MSL NM27C256N120 储存器 28-PDIP 管件 IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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