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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 71V124SA10YG8 |
储存器 |
32-SOJ |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 71V124SA10PHG8 |
储存器 |
32-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT27BV010-15JC |
储存器 |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL W25N01JWSFIG TR |
储存器 |
16-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W25N01JWSFIT TR |
储存器 |
16-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S25FL256LDPMFI000 |
储存器 |
16-SOIC |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS4C32M16D2C-25BCN |
储存器 |
84-FBGA(8x12.5) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT SSTL 18 84FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:SSTL_18|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:0.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
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MSL W632GU8NB-12 TR |
储存器 |
78-VFBGA(8x10.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT 78-VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL IS65LV256AL-45TLA3 |
储存器 |
28-TSOP I |
託盤 |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL IS65C256AL-25TLA3 |
储存器 |
28-TSOP I |
託盤 |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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