储存器

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MSL IS62WV2568BLL-70HI-TR MSL IS62WV2568BLL-70HI-TR 储存器 32-sTSOP I 卷帶(TR) IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32STSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS62WV2568BLL-70BI-TR MSL IS62WV2568BLL-70BI-TR 储存器 36-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V124SA15YGI8 MSL 71V124SA15YGI8 储存器 32-SOJ 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT49BV320D-70TU MSL AT49BV320D-70TU 储存器 48-TSOP 託盤 IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:120µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL GT28F320C3TA100SB93 MSL GT28F320C3TA100SB93 储存器 48-µBGA CSP 託盤 IC FLASH 32MBIT PAR 48UBGA CSP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - 引導塊|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GT28F320C3BA100SB93 MSL GT28F320C3BA100SB93 储存器 48-µBGA CSP 託盤 IC FLASH 32MBIT PAR 48UBGA CSP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - 引導塊|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GT28F320B3TA100 MSL GT28F320B3TA100 储存器 48-µBGA CSP 託盤 IC FLASH 32MBIT PAR 48UBGA CSP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - 引導塊|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43TR82560D-125KBL-TR MSL IS43TR82560D-125KBL-TR 储存器 78-TWBGA(8x10.5) 卷帶(TR) 2G, 1.5V, DDR3L, 256MX8, 1600MT/ 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL AT27C4096-90JI MSL AT27C4096-90JI 储存器 44-PLCC(16.6x16.6) 管件 IC EPROM 4MBIT PARALLEL 44PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL W66BP6NBHAGJ TR MSL W66BP6NBHAGJ TR 储存器 100-VFBGA(10x7.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 100VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.867 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)

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