储存器

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MSL MB85RC256LYPN-G-AME1 MSL MB85RC256LYPN-G-AME1 储存器 - 管件 256kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL GD5F2GM7UEYIGR MSL GD5F2GM7UEYIGR 储存器 8-WSON(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:600µs|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S25FS128SAGNFV100 MSL S25FS128SAGNFV100 储存器 8-WSON(5x6) 託盤 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL W632GU8QB-11 MSL W632GU8QB-11 储存器 78-VFBGA(8x10.5) 託盤 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL IS43R16320F-6TL-TR MSL IS43R16320F-6TL-TR 储存器 66-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:SSTL_2|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL W66BP6NBHAHJ TR MSL W66BP6NBHAHJ TR 储存器 100-VFBGA(10x7.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 100VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL W66BQ6NBHAHJ TR MSL W66BQ6NBHAHJ TR 储存器 100-VFBGA(10x7.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT LVSTL 06 100VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_06|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL SST39VF1602-70-4I-EKE-T MSL SST39VF1602-70-4I-EKE-T 储存器 48-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43DR16160B-37CBL-TR MSL IS43DR16160B-37CBL-TR 储存器 84-TWBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:266 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:500 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL W29N01HVDINA MSL W29N01HVDINA 储存器 48-VFBGA(8x6.5) 託盤 IC FLASH 1GBIT 48-VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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