储存器

储存器

來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS45S16400J-6TLA1-TR MSL IS45S16400J-6TLA1-TR 储存器 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S81600F-6TL-TR MSL IS42S81600F-6TL-TR 储存器 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AS6C2008A-55TINTR MSL AS6C2008A-55TINTR 储存器 32-TSOP I 卷帶(TR) IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS6C2008-55TINTR MSL AS6C2008-55TINTR 储存器 32-TSOP I 卷帶(TR) IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS37SML01G1-MLI-TY MSL IS37SML01G1-MLI-TY 储存器 16-SOIC 託盤 IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS61WV5128FBLL-10BLI-TR MSL IS61WV5128FBLL-10BLI-TR 储存器 36-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PAR 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F4G08ABBFAH4-IT:F TR MSL MT29F4G08ABBFAH4-IT:F TR 储存器 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F4G08ABAFAH4-IT:F TR MSL MT29F4G08ABAFAH4-IT:F TR 储存器 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W632GG8NB-11 TR MSL W632GG8NB-11 TR 储存器 78-VFBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:SSTL_15|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL W25N01JWTBIT TR MSL W25N01JWTBIT TR 储存器 24-TFBGA(8x6) 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

在线留言

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *为必填项