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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS29GL064-70BLED |
储存器 |
48-TFBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT CFI 48TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:CFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL IS37SML01G1-LLI |
储存器 |
8-WSON(8x6) |
管件 |
IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL AT25256-10PI-2.7 |
储存器 |
8-PDIP |
管件 |
IC EEPROM 256KBIT SPI 3MHZ 8DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W632GU6NB-15 |
储存器 |
96-VFBGA(7.5x13) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL AT29C040A-90TU-T |
储存器 |
32-TSOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT45DB321D-MU-SL955 |
储存器 |
8-VDFN(6x5) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI 66MHZ 8VDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:512 位元組 x 8192 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT45DB321D-MU-SL383 |
储存器 |
8-VDFN(6x5) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI 66MHZ 8VDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:528 位元組 x 8192 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT45DB321D-MU-2.5-SL383 |
储存器 |
8-VDFN(6x5) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI 50MHZ 8VDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:528 位元組 x 8192 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL CY62136ESL-45ZSXIT |
储存器 |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT42L32M16D1AB-3 WT:A TR |
储存器 |
121-FBGA(6.5x8) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 121FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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