储存器

储存器

來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL PC28F640P33B85B TR MSL PC28F640P33B85B TR 储存器 64-EasyBGA(10x13) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL PC28F640P30B85D TR MSL PC28F640P30B85D TR 储存器 64-EasyBGA(10x13) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL PC28F640P30T85B TR MSL PC28F640P30T85B TR 储存器 64-EasyBGA(10x13) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL RC28F640P30B85B TR MSL RC28F640P30B85B TR 储存器 64-EasyBGA(10x13) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR MSL IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR 储存器 24-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:400ns|訪問時間:40 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVH8M8DBLL-100B1LI-TR MSL IS66WVH8M8DBLL-100B1LI-TR 储存器 24-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:40ns|訪問時間:40 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V,2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS61WV25616FALL-10BLI-TR MSL IS61WV25616FALL-10BLI-TR 储存器 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PAR 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2.2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS4C32M16D2A-25BCNTR MSL AS4C32M16D2A-25BCNTR 储存器 84-TFBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL IS61WV5128BLL-10BLI-TR MSL IS61WV5128BLL-10BLI-TR 储存器 36-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS61WV25616BLL-10BLI-TR MSL IS61WV25616BLL-10BLI-TR 储存器 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

在线留言

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *为必填项