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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS25LP256D-JLLA3-TR |
储存器 |
8-WSON(8x6) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:40µs,800µs|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL AT45DB161B-CNI |
储存器 |
8-CASON(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 16MBIT SPI 20MHZ 8CASON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:528 位元組 x 4096 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL S29GL064S70FHI030 |
储存器 |
64-FBGA(13x11) |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CG8557AAT |
储存器 |
- |
卷帶(TR) |
IC MEMORY |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL AS6C2008A-55SINTR |
储存器 |
32-SOP |
卷帶(TR) |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32SOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS6C2008-55SINTR |
储存器 |
32-SOP |
卷帶(TR) |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32SOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W66BQ6NBHAFJ |
储存器 |
100-VFBGA(10x7.5) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 06 100VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_06|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL W66BP6NBHAFJ |
储存器 |
100-VFBGA(10x7.5) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 100VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL DS2433Y-Z01/T&R |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT 1-WIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 16|記憶體介面:1-Wire®|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2 µs|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MB85RS256TYPNF-GS-BCE1 |
储存器 |
8-SOP |
管件 |
IC FRAM 256KBIT SPI 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:13 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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