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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL W29N01HZBINA |
储存器 |
63-VFBGA(9x11) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT 63-VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W29N01HWBINA |
储存器 |
63-VFBGA(9x11) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT 63-VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M95M01-RMW6G |
储存器 |
8-SO |
管件 |
IC EEPROM 1MBIT SPI 16MHZ 8SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:16 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 6116LA15SOGI8 |
储存器 |
24-SOIC |
卷帶(TR) |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT45DB321D-CU-SL383 |
储存器 |
24-CBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI 66MHZ 24CBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:528 位元組 x 8192 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT45DB321D-CCU-SL383 |
储存器 |
24-CBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI 66MHZ 24CBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:528 位元組 x 8192 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AS4C32M16D3-10BCNTR |
储存器 |
96-FBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
DDR3, 512MB, 32M X 16, 1.5V, 96- |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL S27KL0643DPBHB020 |
储存器 |
24-FBGA(6x8) |
託盤 |
IC PSRAM 64MBIT SPI/OCTAL 24FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:36ns|訪問時間:36 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL IDT71016S12PHGI8 |
储存器 |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W66BP6NBQAHJ TR |
储存器 |
200-TFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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