储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL NDS66PBA-16AT MSL NDS66PBA-16AT 储存器 54-FBGA(8x8) 託盤 IC DRAM 64MBIT LVTTL 54FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL NDS66PBA-20AT TR MSL NDS66PBA-20AT TR 储存器 54-FBGA(8x8) 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT LVTTL 54FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL NDS66PBA-16AT TR MSL NDS66PBA-16AT TR 储存器 54-FBGA(8x8) 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT LVTTL 54FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL NDS66PBA-20AT MSL NDS66PBA-20AT 储存器 54-FBGA(8x8) 託盤 IC DRAM 64MBIT LVTTL 54FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL IS43TR81280CL-125JBL-TR MSL IS43TR81280CL-125JBL-TR 储存器 78-TWBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL EM68B08CWAH-25IH MSL EM68B08CWAH-25IH 储存器 60-FBGA(8x10) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR MSL IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR 储存器 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR MSL IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR 储存器 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR MSL IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR 储存器 54-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S32200L-7BL-TR MSL IS42S32200L-7BL-TR 储存器 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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