储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL EM6GD08EWAHH-10IH MSL EM6GD08EWAHH-10IH 储存器 78-FBGA(7.5x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL EM6GD08EWUF-10IH MSL EM6GD08EWUF-10IH 储存器 78-FBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL W66AP6NBHAGJ MSL W66AP6NBHAGJ 储存器 100-VFBGA(10x7.5) 託盤 IC DRAM 1GBIT LVSTL 100VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.867 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL W66AQ6NBHAGJ MSL W66AQ6NBHAGJ 储存器 100-VFBGA(10x7.5) 託盤 IC DRAM 1GBIT LVSTL 100VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:LVSTL_06|時鐘頻率:1.867 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL GD25LB256EY2GR MSL GD25LB256EY2GR 储存器 8-WSON(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:140µs,2ms|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL S29GL256S11DHV023 MSL S29GL256S11DHV023 储存器 64-FBGA(9x9) 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL IS25LP256E-JLLE MSL IS25LP256E-JLLE 储存器 8-WSON(8x6) 散裝 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,1ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL W664GG8RB-06 TR MSL W664GG8RB-06 TR 储存器 - 卷帶(TR) 4GB DDR4 1.2V SDRAM, X8, 1600MHZ 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL AS6C1008-55SINL MSL AS6C1008-55SINL 储存器 32-SOP 管件 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W66AP6NBUAHJ TR MSL W66AP6NBUAHJ TR 储存器 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT LVSTL 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)

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