| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS25LP256E-RHLE |
储存器 |
24-TFBGA(6x8) |
散裝 |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,1ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL IS42S32200L-7BL |
储存器 |
90-TFBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS61C25616AL-10KLI-TR |
储存器 |
44-SOJ |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W66BP6NBUAFJ TR |
储存器 |
200-WFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL W66BQ6NBUAFJ TR |
储存器 |
200-WFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL CG7781AAT |
储存器 |
- |
卷帶(TR) |
IC MEMORY |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL CY62138FV30LL-45BVXIT |
储存器 |
36-VFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY62136FV30LL-45BVXIT |
储存器 |
48-VFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD5F2GM7REWIGR |
储存器 |
8-WSON(5x6) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,DTR|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:600µs|訪問時間:9 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1021B-12VXI |
储存器 |
44-SOJ |
託盤 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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