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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT48LC4M16A2P-6:G TR |
储存器 |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT48LC4M16A2P-7E:G TR |
储存器 |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT48LC4M16A2P-79:G TR |
储存器 |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS42S32200N-6BLI-TR |
储存器 |
90-TFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS43TR81280CL-107MBL-TR |
储存器 |
78-TWBGA(8x10.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT48LC4M16A2TG-7E IT:G TR |
储存器 |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W66AP6NBHAHJ |
储存器 |
100-VFBGA(10x7.5) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT LVSTL 100VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL W66AQ6NBHAHJ |
储存器 |
100-VFBGA(10x7.5) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT LVSTL 100VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:LVSTL_06|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL IS66WVH16M8DBLL-100B1LI-TR |
储存器 |
24-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
128MB, HYPERRAM, 16MBX8, 3.0V, 1 |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:40ns|訪問時間:40 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS66WVH16M8DALL-166B1LI-TR |
储存器 |
24-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
128MB, HYPERRAM, 16MBX8, 1.8V, 1 |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:36ns|訪問時間:36 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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