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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL NAND512W3A0AN6E |
储存器 |
48-TSOP |
管件 |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50ns|訪問時間:50 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL NAND512R3A2AZA6E |
储存器 |
55-VFBGA(8x10) |
託盤 |
IC FLASH 512MBIT PAR 55VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:60 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL PC48F4400P0TB0EH |
储存器 |
64-EasyBGA(10x13) |
託盤 |
IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:95ns|訪問時間:95 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL PC48F4400P0TB0EE |
储存器 |
64-EasyBGA(10x13) |
託盤 |
IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:95ns|訪問時間:95 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL SST27SF020-70-3C-PHE |
储存器 |
32-DIP |
管件 |
FLASH 2MB 256Kx8 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:-|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C |
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MSL MT40A1G8AG-062E AUT:R |
储存器 |
78-FBGA(7.5x11) |
託盤 |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:19 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC) |
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MSL IS43LR32100C-6BL-TR |
储存器 |
90-TFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:1M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS43LR32100C-6BLI-TR |
储存器 |
90-TFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:1M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B |
储存器 |
132-VBGA(12x18) |
託盤 |
IC FLASH 1.5TBIT PAR 132VBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1.5Tb|記憶體組織:192G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:267 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E |
储存器 |
63-VFBGA(9x11) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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