储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 70261L35PF MSL 70261L35PF 储存器 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:16K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 70261L25PF8 MSL 70261L25PF8 储存器 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:16K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS43R32800D-5BL MSL IS43R32800D-5BL 储存器 144-LFBGA(12x12) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS43R32400E-4BL MSL IS43R32400E-4BL 储存器 144-LFBGA(12x12) 託盤 IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:16ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 70V24L12PFGI MSL 70V24L12PFGI 储存器 - 散裝 IC SRAM 64KBIT 100TQFP 記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:64Kb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL 70V24L17PFGI MSL 70V24L17PFGI 储存器 - 散裝 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:64Kb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL 70V24S12PFG MSL 70V24S12PFG 储存器 - 散裝 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:64Kb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B MSL MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B 储存器 152-TBGA(14x18) 託盤 IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B MSL MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B 储存器 152-TBGA(14x18) 託盤 IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS1250Y-100IND MSL DS1250Y-100IND 储存器 32-EDIP 管件 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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