储存器

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MSL NDD58PFD-2AET TR MSL NDD58PFD-2AET TR 储存器 60-FBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT SSTL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SSTL_2|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS25LX128-JHLA3-TR MSL IS25LX128-JHLA3-TR 储存器 24-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI/OCT 24TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL EM6HC08EWUG-10H MSL EM6HC08EWUG-10H 储存器 78-FBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL AS4C8M16SA-7BCNTR MSL AS4C8M16SA-7BCNTR 储存器 54-TFBGA(8x8) 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS42S16400D-7TI MSL IS42S16400D-7TI 储存器 54-TSOP II 託盤 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS7C31026B-15JCNTR MSL AS7C31026B-15JCNTR 储存器 44-SOJ 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL GD5F2GQ4RF9IGR MSL GD5F2GQ4RF9IGR 储存器 8-LGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:120 MHz|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W632GU8QB12I TR MSL W632GU8QB12I TR 储存器 78-VFBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL IDT71V416VS15YG8 MSL IDT71V416VS15YG8 储存器 44-SOJ 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL W63AH6NBVABI TR MSL W63AH6NBVABI TR 储存器 178-VFBGA(11x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)

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