| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL SST39LF040-45-4C-NHE |
储存器 |
32-PLCC(11.43x13.97) |
管件 |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20µs|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS43TR16128B-125KBLI |
储存器 |
96-TWBGA(9x13) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL IS43TR16128B-125KBL |
储存器 |
96-TWBGA(9x13) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT30AZZZCDBZTPEQ-031 W.16D |
储存器 |
- |
散裝 |
IC FLASH RAM 2TBIT MCP |
記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:-|存儲容量:2Tb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MT30AZZZCDAZTPWL-031 W.16C |
储存器 |
- |
散裝 |
IC FLASH RAM MCP |
記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL S99FL064LABMFV013 |
储存器 |
- |
散裝 |
IC FLASH |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B |
储存器 |
152-VBGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 64GBIT PARALLEL 152VBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F512G08CMCBBH7-6R:B |
储存器 |
152-TBGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS43TR16128AL-15HBL-TR |
储存器 |
96-TWBGA(9x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL IS43TR16128AL-15HBLI-TR |
储存器 |
96-TWBGA(9x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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