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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT29F6T08ETHBBM5-3R:B |
储存器 |
- |
託盤 |
IC FLASH 6TBIT PARALLEL 333MHZ |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:6Tb|記憶體組織:768G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D |
储存器 |
132-VBGA(12x18) |
託盤 |
IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL SST25VF064C-80-4I-S3AE |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC FLASH 64MBIT SPI/DUAL 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL SST49LF160C-33-4C-NHE |
储存器 |
32-PLCC(11.43x13.97) |
管件 |
IC FLASH 16MBIT PAR 33MHZ 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:20µs|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CG7742AAT |
储存器 |
- |
散裝 |
IC MEMORY |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MT30AZZZBD9ZTKXM-031 W.20S |
储存器 |
- |
散裝 |
IC FLASH RAM 1TBIT MCP |
記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:-|存儲容量:1Tb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MT30AZZZCD9ZTPWL-031 W.165 |
储存器 |
- |
散裝 |
IC FLASH RAM 1TBIT MCP |
記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:-|存儲容量:1Tb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL IS43TR16128B-15HBL-TR |
储存器 |
96-TWBGA(9x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL IS43TR16128B-15HBLI-TR |
储存器 |
96-TWBGA(9x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL IS43TR16128B-15HBLI |
储存器 |
96-TWBGA(9x13) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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