储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT29F6T08ETHBBM5-3R:B MSL MT29F6T08ETHBBM5-3R:B 储存器 - 託盤 IC FLASH 6TBIT PARALLEL 333MHZ 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:6Tb|記憶體組織:768G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D MSL MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D 储存器 132-VBGA(12x18) 託盤 IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL SST25VF064C-80-4I-S3AE MSL SST25VF064C-80-4I-S3AE 储存器 8-SOIC 管件 IC FLASH 64MBIT SPI/DUAL 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST49LF160C-33-4C-NHE MSL SST49LF160C-33-4C-NHE 储存器 32-PLCC(11.43x13.97) 管件 IC FLASH 16MBIT PAR 33MHZ 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:20µs|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TA)
MSL CG7742AAT MSL CG7742AAT 储存器 - 散裝 IC MEMORY 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT30AZZZBD9ZTKXM-031 W.20S MSL MT30AZZZBD9ZTKXM-031 W.20S 储存器 - 散裝 IC FLASH RAM 1TBIT MCP 記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:-|存儲容量:1Tb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT30AZZZCD9ZTPWL-031 W.165 MSL MT30AZZZCD9ZTPWL-031 W.165 储存器 - 散裝 IC FLASH RAM 1TBIT MCP 記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:-|存儲容量:1Tb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL IS43TR16128B-15HBL-TR MSL IS43TR16128B-15HBL-TR 储存器 96-TWBGA(9x13) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL IS43TR16128B-15HBLI-TR MSL IS43TR16128B-15HBLI-TR 储存器 96-TWBGA(9x13) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL IS43TR16128B-15HBLI MSL IS43TR16128B-15HBLI 储存器 96-TWBGA(9x13) 託盤 IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)

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