储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 7026S35G MSL 7026S35G 储存器 84-PGA(27.94x27.94) 託盤 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:16K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 7026S25J8 MSL 7026S25J8 储存器 84-PLCC(29.31x29.31) 卷帶(TR) IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:16K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 7026S25J MSL 7026S25J 储存器 84-PLCC(29.31x29.31) 管件 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:16K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 7026S25G MSL 7026S25G 储存器 84-PGA(27.94x27.94) 託盤 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:16K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS43TR16256A-15HBLI MSL IS43TR16256A-15HBLI 储存器 96-TWBGA(9x13) 託盤 IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL IS43TR16256A-15HBL MSL IS43TR16256A-15HBL 储存器 96-TWBGA(9x13) 託盤 IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL MT45W4MW16BBB-706 WT TR MSL MT45W4MW16BBB-706 WT TR 储存器 54-VFBGA(6x9) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL MT45W1MW16BABB-706 WT TR MSL MT45W1MW16BABB-706 WT TR 储存器 54-VFBGA(6x9) 卷帶(TR) IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL MT28F640J3RG-115 ET TR MSL MT28F640J3RG-115 ET TR 储存器 56-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:115 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT28F640J3FS-115 ET TR MSL MT28F640J3FS-115 ET TR 储存器 64-FBGA(10x13) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:115 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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