储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT40A1G8WE-083E AUT:B MSL MT40A1G8WE-083E AUT:B 储存器 78-FBGA(8x12) 託盤 IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC)
MSL IS43TR16256AL-125KBLI-TR MSL IS43TR16256AL-125KBLI-TR 储存器 96-TWBGA(9x13) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL IS43TR16256AL-125KBLI MSL IS43TR16256AL-125KBLI 储存器 96-TWBGA(9x13) 託盤 IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL CG8954AMT MSL CG8954AMT 储存器 - 散裝 IC MEMORY 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CG8836AM MSL CG8836AM 储存器 - 散裝 IC MEMORY 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CG9080AAT MSL CG9080AAT 储存器 - 散裝 IC MEMORY 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CY7C1061DV33-10BVJXIT MSL CY7C1061DV33-10BVJXIT 储存器 48-VFBGA(8x9.5) 卷帶(TR) IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST39LF040-45-4C-WHE-T MSL SST39LF040-45-4C-WHE-T 储存器 32-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20µs|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS43TR16256A-15HBL-TR MSL IS43TR16256A-15HBL-TR 储存器 96-TWBGA(9x13) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL IS43TR16256A-15HBLI-TR MSL IS43TR16256A-15HBLI-TR 储存器 96-TWBGA(9x13) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)

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