储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT29F4G16ABADAWP-IT:D TR MSL MT29F4G16ABADAWP-IT:D TR 储存器 48-TSOP I 卷帶(TR) IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F4G16ABADAWP:D TR MSL MT29F4G16ABADAWP:D TR 储存器 48-TSOP I 卷帶(TR) IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT48LC2M32B2TG-7 IT:G TR MSL MT48LC2M32B2TG-7 IT:G TR 储存器 86-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT48LC2M32B2TG-6:G TR MSL MT48LC2M32B2TG-6:G TR 储存器 86-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CG10053AFT MSL CG10053AFT 储存器 - 散裝 IC MEMORY 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CG8837AMT MSL CG8837AMT 储存器 - 散裝 IC MEMORY 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CG8954AM MSL CG8954AM 储存器 - 散裝 IC MEMORY 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CY7C14251KV18-250BZI MSL CY7C14251KV18-250BZI 储存器 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:4M x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C14251KV18-250BZC MSL CY7C14251KV18-250BZC 储存器 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:4M x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C14121KV18-300BZXC MSL CY7C14121KV18-300BZXC 储存器 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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