储存器

储存器

來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT48LC32M16A2TG-79:C TR MSL MT48LC32M16A2TG-79:C TR 储存器 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT48LC2M32B2TG-7:G TR MSL MT48LC2M32B2TG-7:G TR 储存器 86-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT47H64M8SH-25E AAT:H MSL MT47H64M8SH-25E AAT:H 储存器 60-FBGA(8x10) 託盤 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL MT47H64M16NF-25E AUT:M MSL MT47H64M16NF-25E AUT:M 储存器 84-FBGA(8x12.5) 託盤 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC)
MSL CAT28C16AXI20 MSL CAT28C16AXI20 储存器 24-SOIC 管件 IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:200 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST25VF016B-79-4I-QAF-T MSL SST25VF016B-79-4I-QAF-T 储存器 8-WSON(6x5) 卷帶(TR) IC FLASH 16MBIT SPI 80MHZ 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 7027S55PF MSL 7027S55PF 储存器 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 7027S35PF8 MSL 7027S35PF8 储存器 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F4G16ABBDAHC-IT:D TR MSL MT29F4G16ABBDAHC-IT:D TR 储存器 63-VFBGA(10.5x13) 卷帶(TR) IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F4G16ABBDAHC:D TR MSL MT29F4G16ABBDAHC:D TR 储存器 63-VFBGA(10.5x13) 卷帶(TR) IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

在线留言

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *为必填项