| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL 7050S35PQF |
储存器 |
132-PQFP(24.13x24.13) |
託盤 |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 132PQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 四端口,非同步|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL 7050S35G |
储存器 |
108-PGA(30.48x30.48) |
託盤 |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 108PGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 四端口,非同步|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL IS45S32400E-6BLA1 |
储存器 |
90-TFBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL IS45S16800E-7TLA2-TR |
储存器 |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
|
 |
MSL IS45S16800E-7TLA2 |
储存器 |
54-TSOP II |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
|
 |
MSL IS45S16800E-7TLA1-TR |
储存器 |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL MT53B256M32D1NP-062 AAT:C |
储存器 |
200-WFBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
|
 |
MSL MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C |
储存器 |
200-VFBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 32GBIT 1.6GHZ 200VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
|
 |
MSL STK14C88C-1XWI |
储存器 |
32-CDIP |
散裝 |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 32CDIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL CG8466AA |
储存器 |
- |
散裝 |
IC MEMORY |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
|