| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT46H8M16LFCF-79 IT |
储存器 |
60-VFBGA(8x10) |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70V05L35PF8 |
储存器 |
64-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 70V05L35PF |
储存器 |
64-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS49NLC18160-25BLI |
储存器 |
144-FCBGA(11x18.5) |
託盤 |
IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:RLDRAM 2|存儲容量:288Mb|記憶體組織:16M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS49NLC18160-25BL |
储存器 |
144-FCBGA(11x18.5) |
託盤 |
IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:RLDRAM 2|存儲容量:288Mb|記憶體組織:16M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT46H8M16LFCF-79 |
储存器 |
60-VFBGA(8x10) |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT46H8M16LFCF-10 IT |
储存器 |
60-VFBGA(8x10) |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT45W4MW16BCGB-708 WT |
储存器 |
54-VFBGA(6x8) |
託盤 |
IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MT45W4MW16BCGB-701 WT TR |
储存器 |
54-VFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MT47H32M16HR-25E:G |
储存器 |
84-FBGA(8x12.5) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
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