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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 70V9369L9PFG |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 288KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:288Kb|記憶體組織:16K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:9 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 7005S35J8/2594 |
储存器 |
68-PLCC(24.21x24.21) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 7005S25PFI8 |
储存器 |
64-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70V9279L7PRFG |
储存器 |
128-TQFP(14x20) |
託盤 |
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 128TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 70V9179L7PFG |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 288KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:288Kb|記憶體組織:32K x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS49NLS18160-33B |
储存器 |
144-FCBGA(11x18.5) |
託盤 |
IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:RLDRAM 2|存儲容量:288Mb|記憶體組織:16M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS49NLS18160-25BL |
储存器 |
144-FCBGA(11x18.5) |
託盤 |
IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:RLDRAM 2|存儲容量:288Mb|記憶體組織:16M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 70V38L15PFG |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:1.125Mb|記憶體組織:64K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 70V28L20PFG |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS49NLC93200-33BI |
储存器 |
144-FCBGA(11x18.5) |
託盤 |
IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:RLDRAM 2|存儲容量:288Mb|記憶體組織:32M x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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