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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS49RL36160-107EBLI |
储存器 |
168-FBGA(13.5x13.5) |
託盤 |
IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:1.28V ~ 1.42V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS49RL36160-107EBL |
储存器 |
168-FBGA(13.5x13.5) |
託盤 |
IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:1.28V ~ 1.42V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS49RL36160-107BLI |
储存器 |
168-FBGA(13.5x13.5) |
託盤 |
IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:1.28V ~ 1.42V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT46V8M16P-6T:D TR |
储存器 |
66-TSOP |
卷帶(TR) |
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT46V16M16BG-6:F TR |
储存器 |
60-FBGA(8x14) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CAV24C32C5CTR |
储存器 |
4-WLCSP(0.77x0.77) |
散裝 |
EEPROM SERIAL 32-KB I2C - AUTOMO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C |
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MSL CAT93C76BHU4I-GT3 |
储存器 |
8-UDFN-EP(2x3) |
散裝 |
EEPROM SERIAL 8-KB MICROWIRE |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:512 x 16,1K x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS49RL36160-107BL |
储存器 |
168-FBGA(13.5x13.5) |
託盤 |
IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:1.28V ~ 1.42V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS49RL36160-093EBLI |
储存器 |
168-FBGA(13.5x13.5) |
託盤 |
IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.066 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:1.28V ~ 1.42V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL NV25040DWVLT3G |
储存器 |
8-SOIC |
散裝 |
EEPROM SERIAL 4-KB SPI - AUTOMOT |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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