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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL NV25080DWVLT3G |
储存器 |
8-SOIC |
散裝 |
EEPROM SERIAL 8-KB SPI - AUTOMOT |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL JS28F640P30T85A |
储存器 |
56-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT PAR 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL JS28F640P30B85A |
储存器 |
56-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT PAR 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 7024S17JI8 |
储存器 |
84-PLCC(29.31x29.31) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PLCC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:4K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:17ns|訪問時間:17 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 7024S15PFI8 |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:4K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS49RL36160-125EBL |
储存器 |
168-FBGA(13.5x13.5) |
託盤 |
IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:1.28V ~ 1.42V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS49RL36160-125BLI |
储存器 |
168-FBGA(13.5x13.5) |
託盤 |
IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:1.28V ~ 1.42V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C2265KV18-550BZC |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:550 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1314KV18-333BZC |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS49RL36160-125BL |
储存器 |
168-FBGA(13.5x13.5) |
託盤 |
IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:1.28V ~ 1.42V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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