储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AT49BV163DT-70CU MSL AT49BV163DT-70CU 储存器 48-CBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48CBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8,1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:120µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL 70T3589S133DR8 MSL 70T3589S133DR8 储存器 208-PQFP(28x28) 卷帶(TR) IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:64K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 709289L6PF8 MSL 709289L6PF8 储存器 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1318CV18-250BZI MSL CY7C1318CV18-250BZI 储存器 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1523KV18-250BZXC MSL CY7C1523KV18-250BZXC 储存器 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:72Mb|記憶體組織:4M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 70V24L20PF MSL 70V24L20PF 储存器 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:4K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 70V24L15PF8 MSL 70V24L15PF8 储存器 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:4K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT49BV163D-70TU MSL AT49BV163D-70TU 储存器 48-TSOP 託盤 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8,1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:120µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL AT49BV163D-70CU MSL AT49BV163D-70CU 储存器 48-CBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48CBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8,1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:120µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL IS61WV5128BLL-10BI MSL IS61WV5128BLL-10BI 储存器 36-TFBGA(6x8) 託盤 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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