储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 70V3319S133PRFI8 MSL 70V3319S133PRFI8 储存器 128-TQFP(14x20) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 128TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT28F800B5SG-8 BET MSL MT28F800B5SG-8 BET 储存器 44-SO IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8,512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:80ns|訪問時間:80 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT28F800B5SG-8 B TR MSL MT28F800B5SG-8 B TR 储存器 44-SO 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8,512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:80ns|訪問時間:80 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT48LC16M16A2P-79 IT:D MSL MT48LC16M16A2P-79 IT:D 储存器 54-TSOP II 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT48LC16M16A2BG-7E IT:D MSL MT48LC16M16A2BG-7E IT:D 储存器 54-VFBGA(8x14) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V321S55PFI8 MSL 71V321S55PFI8 储存器 64-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V321S25PFI8 MSL 71V321S25PFI8 储存器 64-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F256G08AUCABH3-10Z:A MSL MT29F256G08AUCABH3-10Z:A 储存器 100-LBGA(12x18) 管件 IC FLASH 256GBIT PAR 100LBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F1T08CUCABH8-6:A TR MSL MT29F1T08CUCABH8-6:A TR 储存器 152-LBGA(14x18) 卷帶(TR) IC FLASH 1TBIT PARALLEL 152LBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Tb|記憶體組織:128G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 71V321LA55PF8 MSL 71V321LA55PF8 储存器 64-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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