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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT46H128M16LFDD-48 WT:C |
储存器 |
60-VFBGA(8x9) |
散裝 |
IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:208 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14.4ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MSM5118160F-60T3K-MT |
储存器 |
- |
託盤 |
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 50TSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:30 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL R1LV0108ESF-5SR#B0 |
储存器 |
32-TSOP I |
託盤 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 70V07S35PFI |
储存器 |
80-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 80TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70V06S45PF |
储存器 |
64-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 64TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT46V32M16P-79 IT:C TR |
储存器 |
66-TSOP |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:790 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT46V32M16P-79 IT:C |
储存器 |
66-TSOP |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:790 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT46H128M16LFDD-48 AIT:C |
储存器 |
60-VFBGA(8x9) |
散裝 |
IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:208 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14.4ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT |
储存器 |
168-VFBGA(12x12) |
散裝 |
IC FLASH RAM 8GBIT PAR 168VFBGA |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:閃存 - NAND,移動 LPDRAM|存儲容量:8Gb(NAND),4Gb(LPDRAM)|記憶體組織:512M x 16(NAND),128M x 32(LPDRAM)|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:208 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70V631S15BC |
储存器 |
256-CABGA(17x17) |
託盤 |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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