储存器

储存器

來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 70V27L15PF/2703 MSL 70V27L15PF/2703 储存器 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 24LC044T-I/MS MSL 24LC044T-I/MS 储存器 8-MSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 8 x 2|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24LC044T-E/SN MSL 24LC044T-E/SN 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 8 x 2|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 70V639S10PRF8 MSL 70V639S10PRF8 储存器 128-TQFP(14x20) 卷帶(TR) IC SRAM 2.25MBIT PAR 128TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:2.25Mb|記憶體組織:128K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 70V639S10PRF MSL 70V639S10PRF 储存器 128-TQFP(14x20) 託盤 IC SRAM 2.25MBIT PAR 128TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:2.25Mb|記憶體組織:128K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL RM24EP32C-BSNC-B MSL RM24EP32C-BSNC-B 储存器 8-SOIC 管件 IC CBRAM 32KBIT I2C 790KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:32 位元組頁大小|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:790 kHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL RM24EP64C-BSNC-B MSL RM24EP64C-BSNC-B 储存器 8-SOIC 管件 IC CBRAM 64KBIT I2C 790KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:32 位元組頁大小|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:790 kHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MSM51V18160F-60T3-K7 MSL MSM51V18160F-60T3-K7 储存器 - 託盤 IC DRAM 16MBIT PARALLEL 50TSOP 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:-|存儲容量:16Mb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MSM51V17405F-60T3-K MSL MSM51V17405F-60T3-K 储存器 26-TSOP 託盤 IC DRAM 16MBIT PARALLEL 26TSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:4M x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:104ns|訪問時間:30 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT41K256M4DA-107:J MSL MT41K256M4DA-107:J 储存器 78-FBGA(8x10.5) 託盤 IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:256M x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)

在线留言

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *为必填项