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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 70V639S12PRFI |
储存器 |
128-TQFP(14x20) |
託盤 |
IC SRAM 2.25MBIT PAR 128TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:2.25Mb|記憶體組織:128K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70V28VL15PF |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 70V28L25PF |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL RM24C64C-BTAC-B |
储存器 |
8-TSSOP |
管件 |
IC CBRAM 64KBIT I2C 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:32 位元組頁大小|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:790 kHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL RM24C64C-BSNC-B |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC CBRAM 64KBIT I2C 790KHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:32 位元組頁大小|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:790 kHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL RM24C32C-BTAC-B |
储存器 |
8-TSSOP |
管件 |
IC CBRAM 32KBIT I2C 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:32 位元組頁大小|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:790 kHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL RM24C32C-BSNC-B |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC CBRAM 32KBIT I2C 790KHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:32 位元組頁大小|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:790 kHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS43DR16160A-37CBL |
储存器 |
84-TWBGA(8x12.5) |
託盤 |
IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:266 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:500 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL PC28F256P33B2F TR |
储存器 |
64-EasyBGA(8x10) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 256MBIT PAR 64EASYBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL W29N01GVSIAA |
储存器 |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT 48-TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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