储存器

储存器

來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 70V658S12DR MSL 70V658S12DR 储存器 208-PQFP(28x28) 託盤 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:64K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 70V658S10DR MSL 70V658S10DR 储存器 208-PQFP(28x28) 託盤 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:64K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 70V658S10BF MSL 70V658S10BF 储存器 208-CABGA(15x15) 託盤 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:64K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL RM25C64C-BSNC-B MSL RM25C64C-BSNC-B 储存器 8-SOIC 管件 IC CBRAM 64KBIT SPI 5MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:32 位元組頁大小|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL RM25C32C-BTAC-B MSL RM25C32C-BTAC-B 储存器 8-TSSOP 管件 IC CBRAM 32KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:32 位元組頁大小|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL RM25C32C-BSNC-B MSL RM25C32C-BSNC-B 储存器 8-SOIC 管件 IC CBRAM 32KBIT SPI 5MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:32 位元組頁大小|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL RM25C128A-BTAC-B MSL RM25C128A-BTAC-B 储存器 8-TSSOP 管件 IC CBRAM 128KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:64 位元組頁大小|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 70V657S15DR MSL 70V657S15DR 储存器 208-PQFP(28x28) 託盤 IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:1.125Mb|記憶體組織:32K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 70V657S12DRI MSL 70V657S12DRI 储存器 208-PQFP(28x28) 託盤 IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:1.125Mb|記憶體組織:32K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT46V32M16TG-79:C TR MSL MT46V32M16TG-79:C TR 储存器 66-TSOP 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:790 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

在线留言

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *为必填项