| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL MT46V64M16TG-79:A |
储存器 |
66-TSOP |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:790 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL AT24CS01-MAHM-E |
储存器 |
8-UDFN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8UDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL RM25C64C-BSNC-T |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC CBRAM 64KBIT SPI 5MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:32 位元組頁大小|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL 70V9279L12PRFI |
储存器 |
128-TQFP(14x20) |
託盤 |
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 128TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL 70V9269S15PRFI |
储存器 |
128-TQFP(14x20) |
託盤 |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 128TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:16K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL CY7C1414KV18-250BZI |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL CY7C1420KV18-250BZI |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL RM25C32C-BSNC-T |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC CBRAM 32KBIT SPI 5MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:32 位元組頁大小|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL RM25C128A-BTAC-T |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC CBRAM 128KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:64 位元組頁大小|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL 70V659S10DR |
储存器 |
208-PQFP(28x28) |
託盤 |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|