储存器

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MSL MT46V64M8P-6T:D TR MSL MT46V64M8P-6T:D TR 储存器 66-TSOP 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT46V64M8P-6T:D MSL MT46V64M8P-6T:D 储存器 66-TSOP 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 7133SA25PFI MSL 7133SA25PFI 储存器 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 32KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:32Kb|記憶體組織:2K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 7133LA55PFI MSL 7133LA55PFI 储存器 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 32KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:32Kb|記憶體組織:2K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 70V9079L12PF8 MSL 70V9079L12PF8 储存器 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 70V9079L12PF MSL 70V9079L12PF 储存器 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AS4C32M32MD1-5BIN MSL AS4C32M32MD1-5BIN 储存器 90-FBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TJ)
MSL AS4C32M32MD1-5BCNTR MSL AS4C32M32MD1-5BCNTR 储存器 90-FBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TJ)
MSL AS4C32M32MD1-5BCN MSL AS4C32M32MD1-5BCN 储存器 90-FBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TJ)
MSL AS4C32M16MD1-5BIN MSL AS4C32M16MD1-5BIN 储存器 60-FBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TJ)

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