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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT48LC8M32LFB5-10 TR |
储存器 |
90-VFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT48LC8M32LFB5-10 IT TR |
储存器 |
90-VFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29C4G96MAYAMCMJ-5 IT |
储存器 |
- |
散裝 |
IC FLASH RAM 4GBIT PARALLEL |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:閃存 - NAND,移動 LPDRAM|存儲容量:4Gb(NAND),4Gb(LPDRAM)|記憶體組織:512M x 8(NAND),256M x 16(LPDRAM)|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT |
储存器 |
137-TFBGA(10.5x13) |
散裝 |
IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137TFBGA |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:閃存 - NAND,移動 LPDRAM|存儲容量:4Gb(NAND),2Gb(LPDRAM)|記憶體組織:256M x 16(NAND),64M x 32(LPDRAM)|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT48LC8M32LFB5-10 IT |
储存器 |
90-VFBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT48LC8M32LFB5-10 |
储存器 |
90-VFBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29C4G48MAZAMAMK-5 IT |
储存器 |
153-VFBGA |
散裝 |
IC FLASH RAM 4GBIT PAR 153VFBGA |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:閃存 - NAND,移動 LPDRAM|存儲容量:4Gb(NAND),2Gb(LPDRAM)|記憶體組織:256M x 16(NAND),128M x 16(LPDRAM)|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29C4G48MAZAMAKC-5 IT |
储存器 |
107-TFBGA |
散裝 |
IC FLASH RAM 4GBIT PAR 107TFBGA |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:閃存 - NAND,移動 LPDRAM|存儲容量:4Gb(NAND),2Gb(LPDRAM)|記憶體組織:256M x 16(NAND),128M x 16(LPDRAM)|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX25L1673EM2I-10G |
储存器 |
8-SOP |
管件 |
IC FLASH 16MBIT SPI 104MHZ 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX25L12865EZNI-10G |
储存器 |
8-WSON(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 128MBIT SPI 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:300µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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