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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT48V8M32LFF5-8 |
储存器 |
90-VFBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:125 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT48V8M32LFF5-10 TR |
储存器 |
90-VFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL W632GG6KB-11 TR |
储存器 |
96-WBGA(9x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL W631GU6KB15I TR |
储存器 |
96-WBGA(9x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT29F1G08ABBDAHC:D |
储存器 |
63-VFBGA(10.5x13) |
散裝 |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29F1G08ABBDAH4:D |
储存器 |
63-VFBGA(9x11) |
散裝 |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL W631GU6KB-15 TR |
储存器 |
96-WBGA(9x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL W631GU6KB12I TR |
储存器 |
96-WBGA(9x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MX69GL642EEXGI-70G |
储存器 |
- |
託盤 |
IC FLASH RAM 64MBIT PARALLEL |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:FLASH - NOR,PSRAM|存儲容量:64Mb(NOR),32Mb(pSRAM)|記憶體組織:4M x 16(NOR),2M x 16(pSRAM)|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX63U4GC2GHAXMI01 |
储存器 |
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託盤 |
IC FLASH RAM 4GBIT PAR 533MHZ |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:FLASH - NAND,DRAM - LPDDR2|存儲容量:4Gb(NAND),2Gb(LPDDR2)|記憶體組織:512M x 8(NAND),64M x 32(LPDDR2)|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:320µs|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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