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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D |
储存器 |
200-VFBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 200VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MT53D1024M32D4DT-046 AUT:D |
储存器 |
200-VFBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC) |
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MSL MT53D1024M32D4DT-046 AAT ES:D |
储存器 |
200-VFBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C |
储存器 |
200-VFBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 200VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MT29F256G08CKCABH2-12:A |
储存器 |
100-TBGA(12x18) |
託盤 |
IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:83 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29F256G08CJAABWP-12:A |
储存器 |
48-TSOP I |
託盤 |
IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:83 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT25040A-10TU-2.7-T |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT25040A-10TU-1.8-T |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT51J256M32HF-80:B |
储存器 |
170-FBGA(12x14) |
託盤 |
IC RAM 8GBIT PAR 2GHZ 170FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR5|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.31V ~ 1.39V,1.46V ~ 1.55V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT51J256M32HF-70:B |
储存器 |
170-FBGA(12x14) |
託盤 |
IC RAM 8GBIT PAR 1.79GHZ 170FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR5|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.79 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.31V ~ 1.39V,1.46V ~ 1.55V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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